- 品牌：
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- Diodes Incorporated (27)
- NXP USA Inc. (3)
- ON Semiconductor (4)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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49 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F VESM NCH S... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 50V 180M... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 180M... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 180M... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 180M... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 180M... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 180M... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.18... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.18... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.18... |
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