- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (18)
- NXP USA Inc. (3)
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F VESM NCH S... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 180M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 180M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 180M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.18... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.18... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.18... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 180M... |
|
10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.18... |
-
|
1 | 15,492 | 提交询价 | ||
|
|
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.18... |
|
1 | 15,492 | 加入购物车 提交询价 |
