- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 功率耗散(最大值):
-
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
-
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
-
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F CST3 FET (L... |
|
10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 0.1A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.1A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | 2N7002 FAMILY X1-DFN... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | 2N7002 FAMILY X1-DFN... |
|
10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.1A... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 20V 0.1A... |
|
8,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V X2-... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CHAN 41V ... |
|
10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 20V 0.1A... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A ... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 4.2A |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V 0.1A... |
|
8,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 20V 0.1A... |
|
8,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 20V 1A ... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 440M... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V 0.1A... |
|
3,000 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V 0.1A... |
|
8,000 | 8,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
|
3,000 | 6,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 200M... |
|
3,000 | 186,000 | 加入购物车 提交询价 |