- 品牌：
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- IXYS (1)
- ON Semiconductor (11)
- Sanken (1)
- Vishay Siliconix (8)
- 系列：
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- 零件状态：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO... |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 7.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 7.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 700V 5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 4.7... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 7.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 7.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 7.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 700V 5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 3.9... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 10A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 42A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 9A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
