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IPU80R1K4CEBKMA1

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

3.9V @ 240µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

1.4 欧姆 @ 2.3A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

570pF @ 100V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

23nC @ 10V

供应商器件封装 :

PG-TO251-3

功率耗散（最大值） :

63W（Tc）

包装 :

管件

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

3.9A（Tc）

系列 :

CoolMOS™

零件状态 :

预定

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

10V