功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
TSM60NB190CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A...
¥20.64
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TSM60NB190CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A...
¥22.54
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TSM60NB190CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CHANNEL...
¥21.99
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TSM680P06CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET P-CHANNEL...
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