- 品牌：
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- IXYS (23)
- ON Semiconductor (26)
- Sanken (1)
- STMicroelectronics (30)
- Vishay Siliconix (15)
- 系列：
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- 零件状态：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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150 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 200V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 200V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 150V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
