零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
APT6040BNG Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A...
-
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APT6040BN Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A...
-
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IXTR32P60P IXYS
MOSFET P-CH 600V 18A...
¥113.11
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PHP18NQ11T,127 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 18A...
¥2.81
5,000 580 加入购物车 提交询价
PHP18NQ10T,127 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A...
¥6.96
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