- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
27 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 19... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 17... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 14... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 11... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 29A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 42A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 550V 63A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 550V 77A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 550V 44A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 30... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 21... |
|
1 | 1 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 580... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 70A... |
|
10 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 58A... |
|
10 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 71A... |
|
11 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25... |
|
11 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 51A... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 70A... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 21... |
|
1 | 3 | 加入购物车 提交询价 |
