晶体管 - FET，MOSFET - 单

包装：

工作温度：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

Vgs（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	IXFN50N120SIC	IXYS	MOSFET N-CH		¥486.24	10	580	加入购物车提交询价
	MSC040SMA120J	Microsemi Corporation	GEN2 SIC MOSFET 12...		-	1	580	提交询价

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