- 品牌：
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- IXYS (15)
- 系列：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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20 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1700V 160A... |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 160A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 170V 245... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 33... |
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10 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 170V 260... |
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10 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 295... |
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10 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 150V 240... |
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10 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 108... |
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160 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 200... |
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10 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 200... |
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10 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 55V 550A... |
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IXYS | MOSFET N-CH 200V 188... |
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 420... |
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IXYS | MOSFET N-CH 200V 220... |
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IXYS | MOSFET N-CH 75V 480A... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | POWER MODULE 100V ... |
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1 | 473 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | 40V/660A TRENCHT4 PW... |
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1 | 163 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 360... |
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1 | 608 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 150V 310... |
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1 | 913 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 40V 600A... |
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1 | 207 | 加入购物车 提交询价 |
