- 品牌：
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- IXYS (18)
- 系列：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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33 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1700V 160A... |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 160A... |
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IXYS | MOSFET N-CH 170V 245... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 33... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 220... |
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IXYS | MOSFET N-CH 170V 260... |
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 295... |
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IXYS | MOSFET N-CH 150V 240... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 108... |
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 200... |
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 200... |
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Microsemi Corporation | GEN2 SIC MOSFET 12... |
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Microsemi Corporation | GEN2 SIC MOSFET 12... |
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Microsemi Corporation | GEN2 SIC MOSFET 12... |
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IXYS | MOSFET N-CH 150V 400... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | SINGLE SWITCH PW... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | SINGLE SWITCH PW... |
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