供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SQJ433EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 75A...
-
1 2,992 提交询价
SQJ433EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 75A...
¥9.49
1 2,992 加入购物车 提交询价
SQJ433EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 75A...
¥3.90
3,000 580 加入购物车 提交询价
SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V
-
1 5,839 提交询价
SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V
¥23.80
1 5,839 加入购物车 提交询价
SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V
¥10.59
3,000 3,000 加入购物车 提交询价
SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 52A...
-
1 18,029 提交询价
SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 52A...
¥9.80
1 18,029 加入购物车 提交询价
SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 52A...
¥4.04
3,000 18,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 9 条