功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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SIRA18DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 33A...
¥1.50
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SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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MOSFET N-CH 30V 33A...
¥5.14
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SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 33A...
¥1.92
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SIRA18ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30.6...
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MOSFET N-CH 30V 30.6...
¥3.48
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SIRA18ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30.6...
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