功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
GP2M005A050PG Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5...
-
1 580 提交询价
HUFA76413D3 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A...
-
1 580 提交询价
1 / 1 页 共 2 条