- 品牌：
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- NXP USA Inc. (7)
- ON Semiconductor (256)
- STMicroelectronics (93)
- Vishay Siliconix (1)
- 系列：
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- 零件状态：
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- 包装：
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- 工作温度：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 57A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 81A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 5.9... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 5.9... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6.8... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6.8... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 2.9... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 7.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4.2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 250V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 200V 9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 5.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 3.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
