- 品牌:
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- STMicroelectronics (21)
- 系列:
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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30 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 11.... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8.5... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 9A... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 7.5... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 5.4... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 7A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 7.8... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V IP... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 9.7... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 6.2... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 3A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 5.8... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 8A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 5.2... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A... |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 600V 2A... |
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