- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
13 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 48A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
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1 | 938 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 7A... |
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1 | 490 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4.5... |
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1 | 220 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 12A... |
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1 | 800 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 13A... |
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1 | 147 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
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1 | 479 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A... |
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1 | 319 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 26A... |
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1 | 2,300 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37A... |
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