- 系列：
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- 封装/外壳：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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112 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO... |
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Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
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Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7... |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO... |
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