功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SPP04N60C3XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5...
¥13.21
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IPP80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4.5...
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