- 封装/外壳：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 61A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 43A... |
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1 | 522 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A... |
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1 | 1,623 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 64A... |
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1 | 475 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A... |
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1 | 1,976 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100... |
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1 | 1,758 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 |
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1 | 463 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 84A... |
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1 | 2,343 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120... |
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1 | 634 | 加入购物车 提交询价 |
