晶体管 - FET，MOSFET - 单

功率耗散（最大值）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

已选条件：

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图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
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	IPP032N06N3GXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 120A...		¥15.02	1	951	加入购物车提交询价

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