- 系列：
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- 包装：
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- 工作温度：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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235 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5.5... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 5.7... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8.1... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.2... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8.1... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 15A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 15A... |
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