- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 18A... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 29A... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 18A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 18A... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15A... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 42A... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 33A... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22.... |
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1 | 3,164 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22.... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22.... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8.5... |
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1 | 237 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8.5... |
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1 | 237 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 28A... |
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1 | 997 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 42A... |
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1 | 270 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A... |
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1 | 573 | 加入购物车 提交询价 |
