供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
GP2M010A065H Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 9.5...
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GP2M010A065F Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 9.5...
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GP2M004A065PG Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 4A...
-
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GP2M004A065FG Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 4A...
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GP1M007A065CG Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 6.5...
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GP1M006A065FH Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 5.5...
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IPB65R190C7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
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IPB65R190C7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
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IPB65R190C7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
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IPW65R045C7300XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO...
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AOT12N65_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V TO...
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NTH027N65S3F_F155 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 27 ...
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IPD65R380E6BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10....
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IPD65R380E6BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10....
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IPD65R380E6BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10....
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IPB65R660CFDATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A...
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IPB65R660CFDATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A...
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IPB65R660CFDATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A...
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IPB65R600C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3...
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IPB65R600C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3...
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