- 零件状态:
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- 封装/外壳:
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- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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17 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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