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IDH10G65C5ZXKSA1

不同 If 时的电压 - 正向（Vf :

1.7V @ 10A

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 :

180µA @ 650V

不同 Vr，F 时的电容 :

300pF @ 1V，1MHz

二极管类型 :

碳化硅肖特基

供应商器件封装 :

PG-TO220-2

包装 :

管件

反向恢复时间（trr） :

0ns

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-220-2

工作温度 - 结 :

-55°C ~ 175°C

电压 - DC 反向（Vr）（最大值） :

650V

电流 - 平均整流（Io） :

10A（DC）

系列 :

CoolSiC™

速度 :

无恢复时间 > 500mA（Io）

零件状态 :

预定