数据列表

RQ6C050BCTCR

FET 功能 :

-

FET 类型 :

P 沟道

Vgs（最大值） :

±8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1.2V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

36 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

740pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

10.4nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

TSMT6（SC-95）

功率耗散（最大值） :

1.25W（Tc）

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SC-95-6

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

5A（Tc）

系列 :

-

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4.5V