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TK160F10N1L,LQ

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

3.5V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

2.4 毫欧 @ 80A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

10100pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

122nC @ 10V

供应商器件封装 :

TO-220SM（W）

功率耗散（最大值） :

375W（Tc）

包装 :

-

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

工作温度 :

175°C

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

160A（Ta）

系列 :

U-MOSVIII-H

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

6V，10V