数据列表

APTM100DAM90G

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±30V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

5V @ 10mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

105 毫欧 @ 39A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

20700pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

744nC @ 10V

供应商器件封装 :

SP6

功率耗散（最大值） :

1250W（Tc）

包装 :

散装

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

SP6

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

1000V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

78A（Tc）

系列 :

-

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

10V