数据列表

APTM08TAM04PG

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

6 N-沟道（3 相桥）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

4V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

4.5 毫欧 @ 60A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

4530pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

153nC @ 10V

供应商器件封装 :

SP6-P

功率 - 最大值 :

138W

包装 :

散装

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

SP6

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

120A

系列 :

-

零件状态 :

在售