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PHD98N03LT,118

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

5.9 毫欧 @ 25A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

3000pF @ 20V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

40nC @ 5V

供应商器件封装 :

DPAK

功率耗散（最大值） :

111W（Tc）

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

75A（Tc）

系列 :

TrenchMOS™

零件状态 :

停產

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

5V，10V