数据列表

CCS050M12CM2

FET 功能 :

碳化硅 （SiC）

FET 类型 :

6 N-沟道（3 相桥）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.3V @ 2.5mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

34 毫欧 @ 50A，20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

2.810 nF @ 800V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

180nC @ 20V

供应商器件封装 :

模块

功率 - 最大值 :

337W

包装 :

散装

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

87A（Tc）

系列 :

Z-FET™ Z-Rec™

零件状态 :

在售