产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SIZ200DT-T1-GE3
产品详情
- FET 功能 :
- 标准
- FET 类型 :
- 2 个 N 沟道(双)
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 2.4V @ 250µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 5.5 毫欧 @ 10A,10V,5.8 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 28nC @ 10V,30nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- 8-PowerPair®(3.3x3.3)
- 功率 - 最大值 :
- 4.3W(Ta),33W(Tc)
- 包装 :
- 剪切带(CT)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 8-PowerWDFN
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 22A(Ta),61A(Tc),22A(Ta),60A(Tc)
- 系列 :
- TrenchFET® Gen IV
- 零件状态 :
- 在售
采购与价格
您可能在找
- SIZ200DT-T1-GE3 ¥3.45
- SIZ200DT-T1-GE3 ¥8.38
- SIZ200DT-T1-GE3
推荐产品
- SIZ200DT-T1-GE3 ¥3.45
- SIZ200DT-T1-GE3 ¥8.38
- SIZ200DT-T1-GE3