产品概览
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- 数据列表
- SISF00DN-T1-GE3
产品详情
- FET 功能 :
- 标准
- FET 类型 :
- 2 N 沟道(双)共漏
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 2.1V @ 250µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 5 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 2700pF @ 15V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 53nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- PowerPAK® 1212-8SCD
- 功率 - 最大值 :
- 69.4W(Tc)
- 包装 :
- 剪切带(CT)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- PowerPAK® 1212-8SCD
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 60A(Tc)
- 系列 :
- TrenchFET® Gen IV
- 零件状态 :
- 在售
采购与价格
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