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EFC2K102NUZTDG

FET 功能 :

逻辑电平栅极，2.5V 驱动

FET 类型 :

2 N 沟道（双）共漏

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1.3V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

2.65 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

-

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

42nC @ 3.8V

供应商器件封装 :

10-WLCSP（2.98x1.49）

功率 - 最大值 :

3.1W（Ta）

包装 :

-

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

10-SMD, 无引线

工作温度 :

150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

33A（Ta）

系列 :

-

零件状态 :

在售