产品概览
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- 数据列表
- SI6913DQ-T1-E3
产品详情
- FET 功能 :
- 逻辑电平门
- FET 类型 :
- 2 个 P 沟道(双)
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 900mV @ 400µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 21 毫欧 @ 5.8A,4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- -
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 28nC @ 4.5V
- 供应商器件封装 :
- 8-TSSOP
- 功率 - 最大值 :
- 830mW
- 包装 :
- 带卷(TR)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 12V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 4.9A
- 系列 :
- TrenchFET®
- 零件状态 :
- 在售
采购与价格
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