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VMM650-01F

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

2 个 N 沟道（双）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

4V @ 30mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

2.2 毫欧 @ 500A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

-

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

1440nC @ 10V

供应商器件封装 :

Y3-Li

功率 - 最大值 :

-

包装 :

散装

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

Y3-Li

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

680A

系列 :

HiPerFET™

零件状态 :

在售