产品概览

产品型号
FGA15N120ANTDTU-F109
现有数量
505
制造商
ON Semiconductor
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 1200V 30A 186W TO3P

文档与媒体

数据列表
FGA15N120ANTDTU-F109

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
15ns/160ns
IGBT 类型 :
NPT 和沟道
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2.4V @ 15V,15A
供应商器件封装 :
TO-3P
功率 - 最大值 :
186W
包装 :
管件
反向恢复时间(trr) :
330ns
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-3P-3,SC-65-3
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 :
3mJ(开),600µJ(关)
栅极电荷 :
120nC
测试条件 :
600V,15A,10 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
30A
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
45A
输入类型 :
标准
零件状态 :
在售