产品概览

产品型号
RGT00TS65DGC11
现有数量
401
制造商
Rohm Semiconductor
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

文档与媒体

数据列表
RGT00TS65DGC11

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
42ns/137ns
IGBT 类型 :
沟槽型场截止
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2.1V @ 15V,50A
供应商器件封装 :
TO-247N
功率 - 最大值 :
277W
包装 :
-
反向恢复时间(trr) :
54ns
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
-40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
-
栅极电荷 :
94nC
测试条件 :
400V,50A,10 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
85A
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
150A
输入类型 :
标准
零件状态 :
在售

采购与价格

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