产品概览

产品型号
AIHD06N60RFATMA1
现有数量
580
制造商
Infineon Technologies
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IC DISCRETE 600V TO252-3

文档与媒体

数据列表
AIHD06N60RFATMA1

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
8ns/105ns
IGBT 类型 :
沟槽型场截止
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2.5V @ 15V,6A
供应商器件封装 :
PG-TO252-3-313
功率 - 最大值 :
100W
包装 :
带卷(TR)
反向恢复时间(trr) :
-
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 :
-40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
90µJ(开),90µJ(关)
栅极电荷 :
48nC
测试条件 :
400V,6A,23 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
12A
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
18A
输入类型 :
标准
零件状态 :
在售

采购与价格

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