产品概览

产品型号
RGT8BM65DTL
现有数量
580
制造商
Rohm Semiconductor
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 650V 8A 62W TO-252

文档与媒体

数据列表
RGT8BM65DTL

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
17ns/69ns
IGBT 类型 :
沟槽型场截止
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2.1V @ 15V,4A
供应商器件封装 :
TO-252
功率 - 最大值 :
62W
包装 :
Reel®
反向恢复时间(trr) :
40ns
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 :
-40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
-
栅极电荷 :
13.5nC
测试条件 :
400V,4A,50欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
8A
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
12A
输入类型 :
标准
零件状态 :
在售

采购与价格

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