产品概览

产品型号
GT8G133(TE12L,Q)
现有数量
580
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 400V 600MW 8TSSOP

文档与媒体

数据列表
GT8G133(TE12L,Q)

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
1.7µs/2µs
IGBT 类型 :
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2.9V @ 4V,150A
供应商器件封装 :
8-TSSOP
功率 - 最大值 :
600mW
包装 :
带卷(TR)
反向恢复时间(trr) :
-
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
工作温度 :
150°C(TJ)
开关能量 :
-
栅极电荷 :
-
测试条件 :
-
电压 - 集射极击穿(最大值) :
400V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
-
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
150A
输入类型 :
标准
零件状态 :
停產

采购与价格

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