数据列表

MSB92ASWT1G

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

500mV @ 2mA，20mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

120 @ 1mA，10V

供应商器件封装 :

SC-70-3（SOT323）

功率 - 最大值 :

150mW

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SC-70，SOT-323

工作温度 :

150°C（TJ）

晶体管类型 :

PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

300V

电流 - 集电极截止（最大值） :

250nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

500mA

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

50MHz