产品概览

产品型号
SGW23N60UFDTM
现有数量
580
制造商
ON Semiconductor
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 600V 23A 100W D2PAK

文档与媒体

数据列表
SGW23N60UFDTM

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
17ns/60ns
IGBT 类型 :
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2.6V @ 15V,12A
供应商器件封装 :
D²PAK
功率 - 最大值 :
100W
包装 :
带卷(TR)
反向恢复时间(trr) :
60ns
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 :
115µJ(开),135µJ(关)
栅极电荷 :
49nC
测试条件 :
300V,12A,23 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
23A
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
92A
输入类型 :
标准
零件状态 :
停產