数据列表

DSM80100M-7

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

250mV @ 10mA，100mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

120 @ 10mA，1V

供应商器件封装 :

SOT-26

功率 - 最大值 :

600mW

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-23-6

工作温度 :

-65°C ~ 150°C（TJ）

晶体管类型 :

PNP + 二极管（隔离式）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

80V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

500mA

系列 :

-

零件状态 :

预定

频率 - 跃迁 :

-