数据列表

IMZ4T108

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

600mV @ 50mA，500mA / 600mV @ 30mA，300mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

120 @ 100mA，3V

供应商器件封装 :

SMT6

功率 - 最大值 :

300mW

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SC-74，SOT-457

工作温度 :

150°C（TJ）

晶体管类型 :

NPN，PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

32V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

500mA

系列 :

-

零件状态 :

预定

频率 - 跃迁 :

250MHz，200MHz