数据列表

DTB713ZETL

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

300mV @ 2.5mA，50mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

140 @ 100mA，2V

供应商器件封装 :

EMT3

功率 - 最大值 :

150mW

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SC-75，SOT-416

晶体管类型 :

PNP - 预偏压

电压 - 集射极击穿（最大值） :

30V

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

200mA

电阻器 - 发射极基底（R2） :

10 kOhms

电阻器 - 基底（R1） :

1 kOhms

系列 :

-

零件状态 :

不適用於新設計

频率 - 跃迁 :

260MHz