数据列表

EMB75T2R

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

150mV @ 500µA，5mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

80 @ 5mA，10V

供应商器件封装 :

EMT6

功率 - 最大值 :

150mW

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-563，SOT-666

晶体管类型 :

2 个 PNP 预偏压式（双）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

100mA

电阻器 - 发射极基底（R2） :

47 千欧

电阻器 - 基底（R1） :

4.7 千欧

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

250MHz