数据列表

PUMF11,115

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

80 @ 5mA，5V / 120 @ 1mA，6V

供应商器件封装 :

6-TSSOP

功率 - 最大值 :

300mW

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

6-TSSOP，SC-88，SOT-363

晶体管类型 :

1 NPN 预偏压式，1 PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V，40V

电流 - 集电极截止（最大值） :

1µA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

100mA

电阻器 - 发射极基底（R2） :

47 千欧

电阻器 - 基底（R1） :

22 千欧

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

100MHz